Hersteller Produktnummer:
STQ1NK80ZR-AP
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STQ1NK80ZR-AP-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventar:
3891 Stück Neu Original Auf Lager
12876166
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
STQ1NK80ZR-AP Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Box (TB)
Reihe
SuperMESH™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
300mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
160 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Basis-Produktnummer
STQ1NK80
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
497-6197-3
497-6197-1
STQ1NK80ZRAP
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
STS17NH3LL
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
STY30NK90Z
MOSFET N-CH 900V 26A MAX247
STW240N10F7
MOSFET N-CH 100V 180A TO247
