Hersteller Produktnummer:
STP8NM60
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP8NM60-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12880241
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STP8NM60 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP8N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
1026-STP8NM60
497-5397-5
STP8NM60-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFBC40PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1796
TEILNUMMER
IRFBC40PBF-DG
Einheitspreis
0.91
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