Hersteller Produktnummer:
STP80N1K1K6
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP80N1K1K6-DG
Beschreibung:
Linear IC's
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 5A (Tc) 62W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
13240154
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STP80N1K1K6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
300 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
62W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
497-STP80N1K1K6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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