Hersteller Produktnummer:
STP4NB100
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP4NB100-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 3.8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12878891
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STP4NB100 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
PowerMESH™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP4N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
497-2647-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFBG30PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
4495
TEILNUMMER
IRFBG30PBF-DG
Einheitspreis
1.02
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