STP45N60DM6
Hersteller Produktnummer:

STP45N60DM6

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STP45N60DM6-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

12870775
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STP45N60DM6 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ DM6
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1920 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
210W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP45

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
-1138-STP45N60DM6
497-18275
STP45N60DM6-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
FCP130N60
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
127
TEILNUMMER
FCP130N60-DG
Einheitspreis
2.72
ERSATZART
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