Hersteller Produktnummer:
STP3NK60Z
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP3NK60Z-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
5888 Stück Neu Original Auf Lager
12877507
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STP3NK60Z Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
SuperMESH™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
311 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP3NK60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
-497-7525-5
1805-STP3NK60Z
497-7525-5
STP3NK60Z-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFBC20PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
7738
TEILNUMMER
IRFBC20PBF-DG
Einheitspreis
0.47
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