Hersteller Produktnummer:
STP35N65DM2
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP35N65DM2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12876724
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STP35N65DM2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ DM2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
56.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2540 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP35
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STW35N65DM2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
360
TEILNUMMER
STW35N65DM2-DG
Einheitspreis
3.01
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
FCP130N60
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
127
TEILNUMMER
FCP130N60-DG
Einheitspreis
2.72
ERSATZART
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