STP35N60M2-EP
Hersteller Produktnummer:

STP35N60M2-EP

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STP35N60M2-EP-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 26A (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

12880091
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STP35N60M2-EP Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
MDmesh™ M2-EP
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
±25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP35

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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