STP170N8F7
Hersteller Produktnummer:

STP170N8F7

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STP170N8F7-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 120A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

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STP170N8F7 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
STripFET™ F7
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8710 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP170

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
497-16008-5
STP170N8F7-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
STP140N8F7
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
990
TEILNUMMER
STP140N8F7-DG
Einheitspreis
1.37
ERSATZART
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Teilenummer
FDP047N10
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FDP047N10-DG
Einheitspreis
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