Hersteller Produktnummer:
STP11NM60
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP11NM60-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
324 Stück Neu Original Auf Lager
12871649
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STP11NM60 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP11
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
-497-2773-5
497-2773-5
-497-2773-5-NDR
497-2773-5-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIHP11N80E-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
11
TEILNUMMER
SIHP11N80E-GE3-DG
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1.46
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