STP11NM50N
Hersteller Produktnummer:

STP11NM50N

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STP11NM50N-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 8.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

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STP11NM50N Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
470mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
547 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP11N

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
-1138-STP11NM50N
497-10576-5

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IXFP12N50P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
300
TEILNUMMER
IXFP12N50P-DG
Einheitspreis
1.71
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Teilenummer
IXTP12N50P
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