STP10LN80K5
Hersteller Produktnummer:

STP10LN80K5

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STP10LN80K5-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

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STP10LN80K5 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
630mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
427 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP10

Datenblatt & Dokumente

Design-Ressourcen
STP10LN80K5 PSpice Model
Datenblätter
STP10LN80K5 Datasheet Spice Model Tutorial for Power MOSFETS

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
497-16500-5

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
FQPF10N60C
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
5
TEILNUMMER
FQPF10N60C-DG
Einheitspreis
1.07
ERSATZART
Similar
Teilenummer
FCP850N80Z
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
766
TEILNUMMER
FCP850N80Z-DG
Einheitspreis
1.13
ERSATZART
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Teilenummer
AOT10N60
HERSTELLER
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VERFÜGBARE ANZAHL
769
TEILNUMMER
AOT10N60-DG
Einheitspreis
0.60
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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