Hersteller Produktnummer:
STN3P6F6
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STN3P6F6-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V SOT223
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 3A (Tj) 2.6W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventar:
12878649
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STN3P6F6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
DeepGATE™, STripFET™ VI
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
340 pF @ 48 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
STN3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
497-13537-1
497-13537-2
497-13537-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMP6185SEQ-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
3373
TEILNUMMER
DMP6185SEQ-13-DG
Einheitspreis
0.10
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