Hersteller Produktnummer:
STL22N65M5
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STL22N65M5-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 2.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Inventar:
12875821
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STL22N65M5 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
MDmesh™ V
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1345 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 110W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerFlat™ (8x8) HV
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
STL22
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
497-13600-2
497-13600-1
-497-13600-2
497-13600-2-DG
497-STL22N65M5DKR
-497-13600-1
497-13600-1-DG
497-STL22N65M5CT
-497-13600-6
497-13600-6
497-STL22N65M5TR
497-13600-6-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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