STI6N80K5
Hersteller Produktnummer:

STI6N80K5

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STI6N80K5-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventar:

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STI6N80K5 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
SuperMESH5™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
255 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
85W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262 (I2PAK)
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
STI6

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
ST(B,D,I,P)6N80K5

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
497-15017-5
-497-15017-5

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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