Hersteller Produktnummer:
STI30NM60N
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STI30NM60N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
12877705
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STI30NM60N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2700 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262 (I2PAK)
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
STI30N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPI60R125CPXKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
490
TEILNUMMER
IPI60R125CPXKSA1-DG
Einheitspreis
3.00
ERSATZART
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