STI28N60M2
Hersteller Produktnummer:

STI28N60M2

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STI28N60M2-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventar:

6000 Stück Neu Original Auf Lager
12880048
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STI28N60M2 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ M2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1440 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262 (I2PAK)
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
STI28

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
STx28N60M2 Datasheet Spice Model Tutorial for Power MOSFETS

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
497-17621
2266-STI28N60M2

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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