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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
STI24N60M6
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STI24N60M6-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 17A (Tj) 130W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
90 Stück Neu Original Auf Lager
12870189
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STI24N60M6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ M6
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
960 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
STI24
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
STI24N60M6
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
-1138-STI24N60M6
497-18248
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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