Hersteller Produktnummer:
STH80N10LF7-2AG
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STH80N10LF7-2AG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventar:
12946006
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STH80N10LF7-2AG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
STripFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 40A, 10V
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
H2PAK-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STH80
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RSJ650N10TL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
970
TEILNUMMER
RSJ650N10TL-DG
Einheitspreis
2.94
ERSATZART
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