Hersteller Produktnummer:
STH3N150-2
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STH3N150-2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1500 V 2.5A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount H2PAK
Inventar:
12879239
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STH3N150-2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerMESH™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
939 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
H2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Basis-Produktnummer
STH3N150
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-13876-1
497-13876-2
497-13876-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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