Hersteller Produktnummer:
STH270N8F7-6
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STH270N8F7-6-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK
Inventar:
980 Stück Neu Original Auf Lager
12875329
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
STH270N8F7-6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
DeepGATE™, STripFET™ VII
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
193 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13600 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
315W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
H2PAK
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basis-Produktnummer
STH270
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-13874-1
497-13874-2
497-13874-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
STW150NF55
MOSFET N-CH 55V 120A TO247-3
STD9HN65M2
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
STF9N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP