Hersteller Produktnummer:
STH270N8F7-2
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STH270N8F7-2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK
Inventar:
12873116
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STH270N8F7-2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
DeepGATE™, STripFET™ VII
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
193 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13600 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
315W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
H2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Basis-Produktnummer
STH270
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-13873-2
497-13873-1
497-13873-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDB86363-F085
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
16
TEILNUMMER
FDB86363-F085-DG
Einheitspreis
3.65
ERSATZART
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