Hersteller Produktnummer:
STH180N4F6-2
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STH180N4F6-2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventar:
12873268
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STH180N4F6-2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
STripFET™ F6
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7735 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
H2PAK-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STH180
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PSMN1R1-40BS,118
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
3918
TEILNUMMER
PSMN1R1-40BS,118-DG
Einheitspreis
1.44
ERSATZART
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