Hersteller Produktnummer:
STH180N10F3-6
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STH180N10F3-6-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Inventar:
12879334
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STH180N10F3-6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
STripFET™ III
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
114.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6665 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
315W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
H2PAK-6
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basis-Produktnummer
STH180
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-11840-6
-497-11840-6
STH180N10F36
-497-11840-2
497-11840-2
-497-11840-1
497-11840-1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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