STFU16N65M2
Hersteller Produktnummer:

STFU16N65M2

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STFU16N65M2-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP

Inventar:

12875434
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STFU16N65M2 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™ M2
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
718 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
STFU16

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
497-19310-6-DG
497-19310-1
497-19310-2-DG
497-19310-2
497-19310-1INACTIVE
497-19310-1-DG
497-STFU16N65M2
497-19310-6
497-19310-6INACTIVE
STFU16N65M2-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SIHA14N60E-E3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SIHA14N60E-E3-DG
Einheitspreis
0.89
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VERFÜGBARE ANZAHL
1000
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Einheitspreis
0.84
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Parametric Equivalent
Teilenummer
R6011KNX
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VERFÜGBARE ANZAHL
418
TEILNUMMER
R6011KNX-DG
Einheitspreis
0.74
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