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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
STFU16N65M2
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STFU16N65M2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventar:
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12875434
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STFU16N65M2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™ M2
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
718 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
STFU16
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
STFU16N65M2
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
497-19310-6-DG
497-19310-1
497-19310-2-DG
497-19310-2
497-19310-1INACTIVE
497-19310-1-DG
497-STFU16N65M2
497-19310-6
497-19310-6INACTIVE
STFU16N65M2-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIHA14N60E-E3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SIHA14N60E-E3-DG
Einheitspreis
0.89
ERSATZART
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Teilenummer
STF16N65M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
1000
TEILNUMMER
STF16N65M2-DG
Einheitspreis
0.84
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
R6011KNX
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0.74
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