Hersteller Produktnummer:
STFI26NM60N
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STFI26NM60N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventar:
12876617
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STFI26NM60N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1800 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-281 (I2PAKFP)
Paket / Koffer
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Basis-Produktnummer
STFI26N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
-497-12860-5
497-12860-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPI60R190C6XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
495
TEILNUMMER
IPI60R190C6XKSA1-DG
Einheitspreis
1.43
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