Hersteller Produktnummer:
STFI15N60M2-EP
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STFI15N60M2-EP-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Inventar:
1496 Stück Neu Original Auf Lager
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STFI15N60M2-EP Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ M2
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
378mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
590 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAKFP (TO-281)
Paket / Koffer
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Basis-Produktnummer
STFI15N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
497-15957-5
-497-15957-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STF15N60M2-EP
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
1555
TEILNUMMER
STF15N60M2-EP-DG
Einheitspreis
0.70
ERSATZART
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