Hersteller Produktnummer:
STFI11N65M2
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STFI11N65M2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventar:
12880358
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STFI11N65M2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™ II Plus
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
670mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
410 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-281 (I2PAKFP)
Paket / Koffer
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Basis-Produktnummer
STFI11N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
497-15038-5
-497-15038-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STF11N65M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
27
TEILNUMMER
STF11N65M2-DG
Einheitspreis
0.71
ERSATZART
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