Hersteller Produktnummer:
STFI11N60M2-EP
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STFI11N60M2-EP-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Inventar:
12871000
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STFI11N60M2-EP Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
595mOhm @ 3.75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
390 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAKFP (TO-281)
Paket / Koffer
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Basis-Produktnummer
STFI11N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STF10N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
2606
TEILNUMMER
STF10N60M2-DG
Einheitspreis
0.53
ERSATZART
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