Hersteller Produktnummer:
STFI10N65K3
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STFI10N65K3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventar:
1499 Stück Neu Original Auf Lager
12880504
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STFI10N65K3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
SuperMESH3™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1180 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-281 (I2PAKFP)
Paket / Koffer
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Basis-Produktnummer
STFI10N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
497-13578-5
-497-13578-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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