Hersteller Produktnummer:
STD3NM60-1
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STD3NM60-1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 42W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventar:
12873754
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Menge
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STD3NM60-1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
324 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
STD3N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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