Hersteller Produktnummer:
STD1HN60K3
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STD1HN60K3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 1.2A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
1515 Stück Neu Original Auf Lager
12878122
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STD1HN60K3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SuperMESH3™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 600mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
140 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
27W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
STD1HN60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
497-STD1HN60K3CT
-497-13748-6
497-13748-6-DG
497-STD1HN60K3DKR
497-13748-6
-497-13748-1
497-13748-2
497-13748-1-DG
497-13748-2-DG
497-13748-1
497-STD1HN60K3TR
-497-13748-2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFR1N60ATRPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
5289
TEILNUMMER
IRFR1N60ATRPBF-DG
Einheitspreis
0.58
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