Hersteller Produktnummer:
STD12NF06L-1
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STD12NF06L-1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 42.8W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventar:
1913 Stück Neu Original Auf Lager
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STD12NF06L-1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
STripFET™ II
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
42.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
STD12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
STD12NF06L-1-DG
497-6730-5
STD12NF06L1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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