Hersteller Produktnummer:
STB70N10F4
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB70N10F4-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 65A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12874764
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STB70N10F4 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
DeepGATE™, STripFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
19.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB70N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF8010STRLPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
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TEILNUMMER
IRF8010STRLPBF-DG
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