Hersteller Produktnummer:
STB60NF10-1
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB60NF10-1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12877126
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STB60NF10-1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
STripFET™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4270 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
STB60N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
1805-STB60NF10-1
497-6185-5
-497-6185-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPI086N10N3GXKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
270
TEILNUMMER
IPI086N10N3GXKSA1-DG
Einheitspreis
0.69
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