Hersteller Produktnummer:
STB4N62K3
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB4N62K3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 620 V 3.8A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
993 Stück Neu Original Auf Lager
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STB4N62K3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
SuperMESH3™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
620 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.95Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
450 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB4N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-10645-2
497-10645-1
497-10645-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFBC30STRLPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
52
TEILNUMMER
IRFBC30STRLPBF-DG
Einheitspreis
1.29
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