STB42N60M2-EP
Hersteller Produktnummer:

STB42N60M2-EP

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STB42N60M2-EP-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 34A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

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12880573
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STB42N60M2-EP Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
MDmesh™ M2-EP
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
87mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2370 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB42

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-15896-2
497-15896-1
497-15896-6

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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