STB3N62K3
Hersteller Produktnummer:

STB3N62K3

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STB3N62K3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 620 V 2.7A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventar:

2086 Stück Neu Original Auf Lager
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STB3N62K3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SuperMESH3™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
620 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
385 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB3N

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
1805-STB3N62K3DKR
-497-8476-2
1805-STB3N62K3TR
-497-8476-6
1805-STB3N62K3CT
497-8476-6
497-8476-1
497-8476-2
-497-8476-1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRFBC30STRLPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
52
TEILNUMMER
IRFBC30STRLPBF-DG
Einheitspreis
1.29
ERSATZART
Similar
Teilenummer
IRFBC20SPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IRFBC20SPBF-DG
Einheitspreis
1.12
ERSATZART
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IRFBC30SPBF
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IRFBC30SPBF-DG
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