Hersteller Produktnummer:
STB35N65M5
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB35N65M5-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 27A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12874968
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STB35N65M5 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
MDmesh™ V
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
98mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3750 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB35
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-10565-6
-497-10565-6
497-10565-2
497-10565-1
-497-10565-2
-497-10565-1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIHB33N60EF-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
758
TEILNUMMER
SIHB33N60EF-GE3-DG
Einheitspreis
3.33
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