Hersteller Produktnummer:
STB35N60DM2
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB35N60DM2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12875164
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STB35N60DM2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
MDmesh™ DM2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2400 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
210W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB35
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-16357-6
497-16357-1
497-16357-2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPB60R099CPATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1212
TEILNUMMER
IPB60R099CPATMA1-DG
Einheitspreis
3.99
ERSATZART
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