Hersteller Produktnummer:
STB33N60DM6
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB33N60DM6-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
264 Stück Neu Original Auf Lager
12878403
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STB33N60DM6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
MDmesh™ M6
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
128mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1500 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB33
Datenblatt & Dokumente
Produktbeschreibung
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
STB33N60DM6-DG
497-STB33N60DM6DKR
497-STB33N60DM6TR
497-STB33N60DM6CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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