Hersteller Produktnummer:
STB21NM50N-1
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB21NM50N-1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 18A (Tc) 140W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12880300
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Menge
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STB21NM50N-1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1950 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
1805-STB21NM50N-1
-497-5727
497-5727
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SPI21N50C3XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
450
TEILNUMMER
SPI21N50C3XKSA1-DG
Einheitspreis
1.97
ERSATZART
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