Hersteller Produktnummer:
STB200N6F3
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB200N6F3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
292 Stück Neu Original Auf Lager
12876480
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STB200N6F3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
STripFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
330W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB200N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-10025-1
-497-10025-6
1805-STB200N6F3CT
497-10025-2
1805-STB200N6F3DKR
-497-10025-2
-497-10025-1
497-10025-6
1805-STB200N6F3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFS3306TRLPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
86
TEILNUMMER
IRFS3306TRLPBF-DG
Einheitspreis
1.10
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