Hersteller Produktnummer:
STB180N55F3
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB180N55F3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 120A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
2169 Stück Neu Original Auf Lager
12872307
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STB180N55F3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
STripFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
330W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB180N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
-497-7939-6
497-7939-1
1805-STB180N55F3TR
1805-STB180N55F3DKR
1805-STB180N55F3CT
STB180N55F3-DG
497-7939-6
-497-7939-2
-497-7939-1
497-7939-2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF1404STRLPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
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1786
TEILNUMMER
IRF1404STRLPBF-DG
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