STB12NM50ND
Hersteller Produktnummer:

STB12NM50ND

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STB12NM50ND-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

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12872548
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STB12NM50ND Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
FDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
850 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB12N

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
-497-10026-6
497-10026-2
497-10026-1
-497-10026-2
-497-10026-1
497-10026-6

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
FDB12N50TM
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1
TEILNUMMER
FDB12N50TM-DG
Einheitspreis
0.91
ERSATZART
Similar
Teilenummer
IXTA16N50P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTA16N50P-DG
Einheitspreis
2.83
ERSATZART
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Teilenummer
IXFA16N50P3
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXFA16N50P3-DG
Einheitspreis
3.20
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certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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