Hersteller Produktnummer:
STB11NM80T4
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB11NM80T4-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12879708
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Menge
Mindestens 1
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6jUQ
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STB11NM80T4 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
MDmesh™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
43.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1630 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB11
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-4319-1-DG
497-4319-1
497-4319-2
497-4319-1-NDR
497-4319-6
-1138-STB11NM80T4CT
-1138-STB11NM80T4DKR
497-STB11NM80T4TR
497-4319-2-NDR
497-STB11NM80T4DKR
497-4319-6-DG
497-STB11NM80T4CT
497-4319-2-DG
-1138-STB11NM80T4TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFA12N65X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
288
TEILNUMMER
IXFA12N65X2-DG
Einheitspreis
1.82
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