Hersteller Produktnummer:
STB11NM60FDT4
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB11NM60FDT4-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12879216
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STB11NM60FDT4 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
FDmesh™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB11
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-3511-1-NDR
497-3511-6-NDR
497-3511-1
497-3511-2
497-3511-2-NDR
497-3511-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
R6007KNJTL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
17
TEILNUMMER
R6007KNJTL-DG
Einheitspreis
0.74
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