Hersteller Produktnummer:
SCTWA35N65G2VAG
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
SCTWA35N65G2VAG-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 650V 45A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Inventar:
12939202
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SCTWA35N65G2VAG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
18V, 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
3.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1370 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247 Long Leads
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SCTWA35
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
600
Andere Namen
497-SCTWA35N65G2VAG
Umwelt- und Exportklassifizierung
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
MSC060SMA070B
HERSTELLER
Microchip Technology
VERFÜGBARE ANZAHL
26
TEILNUMMER
MSC060SMA070B-DG
Einheitspreis
6.90
ERSATZART
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