Hersteller Produktnummer:
SCTH90N65G2V-7
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
SCTH90N65G2V-7-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 90A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventar:
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12880155
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SCTH90N65G2V-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3300 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
330W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
H2PAK-7
Paket / Koffer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basis-Produktnummer
SCTH90
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-18352-6
497-18352-2
497-18352-1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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