Hersteller Produktnummer:
SCT50N120
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
SCT50N120-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
Inventar:
12874195
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SCT50N120 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1900 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
318W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
HiP247™
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SCT50
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
-1138-SCT50N120
497-16598-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
G3R40MT12D
HERSTELLER
GeneSiC Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1725
TEILNUMMER
G3R40MT12D-DG
Einheitspreis
12.88
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